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Samsung - MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC - MZ-VAP2T0CW
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Samsung

Samsung - MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC - MZ-VAP2T0CW

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Características
SDD, capacidad:2000 GB
Factor de forma de disco SSD:M.2
Interfaz:PCI Express 5.0
NVMe:Sí
Versión NVMe:2.0
Tipo de memoria:V-NAND TLC
Componente para:PC/Consola de videojuegos
Encriptación de hardware:Sí
Algoritmos de seguridad soportados:256-bit AES
Tamaño de la unidad SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura:14700 MB/s
Velocidad de escritura:13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB):1850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB):2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Express:x4
Función DevSleep:Sí
Soporte S.M.A.R.T.:Sí
Soporte TRIM:Sí
Tiempo medio entre fallos:1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación:3.3 V
Consumo de energía (lectura):8.1 W
Consumo de energía (escritura):7.9 W
Consumo eléctrico promedio (lectura):8.1 W
Consumo eléctrico promedio (escritura):7.9 W
Consumo de energía (espera):0.005 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño):4 mW
Peso y dimensiones
Ancho:80.15 mm
Profundidad:8.88 mm
Altura:80.15 mm
Peso:30 g
Empaquetado
Tipo de embalaje:Caja
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa:0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento:1500 G
Otras características
Periodo de garantía:5 año(s)
Samsung
MZ-VAP2T0CW
Nuevo
14 Artículos

Ficha técnica

Interfaz
PCI Express 5.0
Factor de forma de disco SSD
M.2
SDD, capacidad
2000 GB

Referencias específicas

ean13
8806095811666

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