Características
SDD, capacidad:960 GB
Interfaz:Serial ATA III
Tipo de memoria:3D TLC NAND
Componente para:Servidor/estación de trabajo
Lectura aleatoria (4KB):95000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB):33000 IOPS
Latencia de lectura:170 µs
Latencia de escritura:80 µs
Soporte S.M.A.R.T.:Sí
Hot-swap:Sí
Tiempo medio entre fallos:3000000 h
Escrituras en el disco por día (DWPD, Drive writes per day):1,5
Certificación:Micron Green Standard Built with sulfur resistant resistors CE (Europe): EN 55032 Class B, RoHS UKCA (UK): SI 2016/1091 Class B and SI 2012/3032 RoHS FCC: CFR Title 47, Part 15 Class B UL/cUL: approval to UL-60950-1, 2nd Edition, IEC 60950-1:2005 (2nd Edition), EN 60950-1 (2006) + A11:2009+ A1:2010 + A12:2011 + A2:2013 BSMI (Taiwan): approval to CNS 13438 Class B and CNS 15663 RCM (Australia, New Zealand): AS/NZS CISPR32 Class B KC RRA (Korea): approval to KN32 Class B, KN 35 Class B W.E.E.E.: compliance with EU WEEE directive 2012/19/EC TUV (Germany): approval to IEC60950/EN60950 VCCI (Japan): 2015-04 Class B IC (Canada): ICES-003 Class B Morocco: approval to EN55032/EN55024 Class B UkrSEPRO (Ukraine): EN55032 Class B, IEC60950/EN60950, RoHS (Resolution 2017 No. 139)
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa:0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje:-40 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento:5 - 95 %
Vibración no operativa:3.13 G
Golpe (fuera de operación):1500 G
